MOSFET od środka
Bez akademickich rozważań, upraszczając: Tranzystory MOSFET – akronim od: Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistors- różnią się od tranzystorów bipolarnych zasadą działania. Parametry tranzystorów unipolarnych czyli właśnie MOSFET, są zazwyczaj lepsze niż tranzystorów bipolarnych. Szybsze czasy przełączania, mniejsze moce start, większe wartości prądów, znacznie łatwiejsze sterowanie. W przeciwieństwie do tranzystorów bipolarnych, które sterowane są prądowo, tranzystory MOSFET są sterowane napięciowo. W dużym uproszczeniu oznacza to że stopień otwarcia MOSFETY’a zależy nie tyle od prądu pobieranego w celu „zadziałania” tranzystora, zresztą prąd ten jest bardzo mały, ile od napięcia sterującego
Podając na bramkę tranzystora MOSFET typu N dodanie napięcie, wytwarza się pole elektryczne w obszarze bramki (GATE); ładunek elektryczny na bramce powoduje, że region P pod bramką przekształca się w region typu N (rys 1). Ta konwersja, nazywana jest zjawiskiem inwersji powierzchniowej, umożliwia ona przepływ prądu między drenem a źródłem przez materiał typu N.
Obszar między drenem a źródłem może być przedstawiany w modelu jako rezystor, jednak taki „rezystor” nie zachowuję się liniowo, jak ma to miejsce w przypadku konwencjonalnego rezystora.
Użytecznym produktem ubocznym procesu produkcyjnego w tranzystorach MOSFET jest wewnętrzna dioda pasożytnicza utworzona między źródłem a drenem, nazywana w literaturze „body diode”. Dioda ta może być, i w praktyce jest, bardzo użytecznym elementem w wielu zastosowaniach.
Podając na bramkę tranzystora MOSFET typu N dodanie napięcie, wytwarza się pole elektryczne w obszarze bramki (GATE); ładunek elektryczny na bramce powoduje, że region P pod bramką przekształca się w region typu N (rys 1). Ta konwersja, nazywana jest zjawiskiem inwersji powierzchniowej, umożliwia ona przepływ prądu między drenem a źródłem przez materiał typu N.
Obszar między drenem a źródłem może być przedstawiany w modelu jako rezystor, jednak taki „rezystor” nie zachowuję się liniowo, jak ma to miejsce w przypadku konwencjonalnego rezystora.
Użytecznym produktem ubocznym procesu produkcyjnego w tranzystorach MOSFET jest wewnętrzna dioda pasożytnicza utworzona między źródłem a drenem, nazywana w literaturze „body diode”. Dioda ta może być, i w praktyce jest, bardzo użytecznym elementem w wielu zastosowaniach.
 |
| Budowa wewnętrzna tranzystora MOSFET N |