MOSFET SiC
Tranzystory MOSFET SiC to tranzystory wykonane z węglika krzemu (Silicon Carbide). Duże wartości przenoszonych napięć, prądów, a także częstotliwości pracy, kwalifikują MOSFET SiC dla rozwiązań wysokoprądowych. Układ aplikacyjny MOSFET SiC jest bardzo podobny do MOSFET Si. Jednak należy pamiętać że MOSFET SiC napięcie sterujące Vgs ma wartości znacznie wyższym niż tranzystory MOSFET Si. Wartości te mogą dochodzić do 30V. Maksymalne napięcia pracy MOSFET SiC dochodzą do 4KV i zapewne bariera ta w przyszłości zostanie przekroczona. SiC mogą pracować przy znacznie wyższych, niż Si częstotliwościach.
Dodatkową zaletą jest niewielka rezystancja DS w stanie załączenia Wartość ta jest w małym stopniu zależna od temperatury. Maksymalna dopuszczalna temperatura złącza jest wyższa niż dla tranzystorów Si. Moce przy których mogą pracować tranzystory MOSFET SiC dochodzą do 5KW. Wszystkie te cechy sprawiają że MOSFET SiC stanowią ciekawą alternatywę dla IGBT.
Dodatkową zaletą jest niewielka rezystancja DS w stanie załączenia Wartość ta jest w małym stopniu zależna od temperatury. Maksymalna dopuszczalna temperatura złącza jest wyższa niż dla tranzystorów Si. Moce przy których mogą pracować tranzystory MOSFET SiC dochodzą do 5KW. Wszystkie te cechy sprawiają że MOSFET SiC stanowią ciekawą alternatywę dla IGBT.
 |
| Symbole tranzystorów MOSFET SiC oraz IGBT |
 |
| Porównanie tranzystorów MOSFET Si, SiC oraz IGBT |